9月9日上午，日本大阪大学JST CREST特约研究员、法勒诺布尔CNRS/CEA/UJF/INAC访问学者杨赟博士应我校电子科学与技术系及微纳中心执行主任林福江教授的邀请，在电四楼310会议室为科大师生带来了一场题为“三维可靠处理器设计和纳米磁性随机存储器研究（3D dependable processor design and nanometer MRAM research）”的精彩报告。
当今的芯片设计对速率、功耗以及可靠性都有很高的要求。通常的芯片设计都是在二维平面上设计实现的，然而随着高速、高可靠性等要求的提出，二维设计已很难满足芯片设计的需求。在最新的芯片设计中是把二维的电设计通过三维堆垒的方式实现，这样可以极大提高电的速度，并且减小电的面积。在本次报告中，杨赟博士首先介绍了图像处理器芯片的三D超大规模集成（VLSI）电设计方案，并了层间的支撑以及散热可行研究方案。随后，他又介绍了应用在核电站和太空卫星等高辐射场合里的高可靠性处理器的设计方案，并以这种设计在福岛第一核电站事故中的应用为例阐述了该设计方案的可行性。接下来，他介绍了量子计算机研究中纳米磁性随机存储器（MRAM）的设计及其优缺点。最后，杨博士与在座师生就报告内容展开了讨论，深入探讨了三维电结构的多种散热方案以及冗余结构实现高可靠性处理器的原理等重要问题，同时分析了以上研究方向近期内可能的发展趋势。在热烈融洽的气氛中结束。
杨赟博士于1998-2004年就读于复旦大学，并获得电子工程理学学士学位和微电子工程硕士学位，随后在日本早稻田大学深造并于2008年取得博士学位。之后，他以访问学者的身份在法勒诺布尔继续从事相关研究工作，目前的研究方向主要包括3D超大规模集成（VLSI）片上系统（SoC）的设计、电子设计自动化（EDA）物理设计、可重建SoC设计、磁存储器研究、混合信号VLSI设计，可靠VLSI系统设计，微纳机电系统研究、片上网络研究，图像处理系统以及计算机流水线架构等。杨赟博士是电子电气工程师协会（IEEE），电子情报通信学会（IEICE）和美国计算机协会（ACM）的，曾于2005年获得日本福冈地区IEEE优秀学者。
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